高性能蝕刻液太陽能電池材料堿性蝕刻液:SUN-X系列

來源：Seebio.cn作者：西寶生物人氣：-發(fā)表時間：2012-01-12 15:57:00【大中小】

日本和光純藥株式會社成立于1922年，是一家專門提供高純度化學試劑的科技公司。旗下4個部門分別是實驗試劑部，診斷試劑部，化成品部和儀器部。其中化成品部提供一系列的高純度特種化學品供應給半導體行業(yè)和太陽能源開發(fā)行業(yè)使用。

高性能蝕刻液

產(chǎn)品名稱	特征	適用于
混酸鋁	乙酸/硝酸/磷酸混合液	Ai配線
Au-Etchant	KI/I2混合液	Au電極 Au Bump
50%ACN	50%硝酸（IV）氨水溶液	鉻涂層
ITO-Etchant	高浸潤性草酸水溶液	ITO透明電極
HHED	混合液	聚酰亞胺，層間絕緣膜
TWL-I & II	Ti膜或Ti/W合金膜選擇蝕刻 I: 過氧化氫制劑 II: 堿制劑使用時混合	Pb焊接-Bump工序
TWL-I & II		無鉛Solder-Bump工序
TWL-I & II		Al線的接地線（Ti/W）膜
SWAT-200S	含添加劑的氫氧化鈉水溶液	抑制膠片表面不純物金屬離子的吸附，維護表面潔凈
SWATch-300P	添加劑的氫氧化鉀溶液（添加劑種類不同）	膠片制造，再生時拋光工序后的堿處理，洗滌
KOH-40S	添加劑的氫氧化鉀溶液（添加劑種類不同）	漿料pH值調(diào)整
SUN-X1200	具有晶體結構形成能力的氫氧化鉀溶液	太陽能電池

高純度，高性能有機酸系洗凈劑

產(chǎn)品名稱	特征	適用于
CA-HP-02	高純度2%檸檬酸溶液	各種洗滌劑添加劑，原料不純物金屬離子去除洗滌劑（膠片制造，再生工程）
CA-HP-10	高純度10%檸檬酸溶液
CA-HP-30	高純度30%檸檬酸溶液
WCA-30S	高純度，高浸潤性
CIREX	高純度，高性能檸檬酸溶液最適用于去除不純物金屬離子	去除不純物金屬離子洗凈劑Al-CMP后洗凈劑W-CMP后洗凈劑
CIREX-C15	高純度，高性能檸檬酸溶液最適用于去除不純物金屬離子	去除不純物金屬離子洗凈劑Al-CMP后洗凈劑W-CMP后洗凈劑
CLEAN-100	高純度，高性能檸檬酸溶液顆粒和不純物金屬離子經(jīng)一次洗滌即可同時去除	CMP后洗滌劑適合去除Cu-CMP后不純物金屬離子的洗滌劑Cu/low-k CMP后洗凈劑
CAX-200
CLEAN-200LK
CLEAN-300LK
WCP-1000（Acid Type）酸性	高性能洗凈劑	CMP后洗凈劑最適用于去除各種缺陷失誤Cu/low-k CMP后洗凈劑
WCP-2000 (AlkalineType) 堿性	高性能洗凈劑	CMP后洗凈劑最適用于去除各種缺陷失誤Cu/low-k CMP后洗凈劑

高性能非離子表面活性劑

產(chǎn)品名稱	特征	適用于
NCW-1001	低溫使用	改善溶液浸潤性的添加劑
NCW-1002	低粘性	各種工具的洗凈劑

高純度，高性能過氧化氫水

產(chǎn)品名稱	特征	適用于
HQ	高純度級別，不純物金屬離子含量：max. 0.1ppb	RCA洗滌液各種蝕刻液原料
HIRINPER-HP	高純度級別，不純物金屬離子含量：max. 0.1ppb 能有效抑制金屬離子的吸附和污染	利用本液可同時洗滌去除RCA（APM）溶液中的顆粒和不純物金屬離子
HIRINPER-SP	高純度級別，不純物金屬離子含量：max. 0.1ppb 能有效抑制金屬離子的吸附和污染	利用本液可同時洗滌去除RCA（APM）溶液中的顆粒和不純物金屬離子

有機光電材料，合成試劑

Boronic Acid	Phenanthroline
Azulene，Tropplone	Anthraquinone
Diphenylamine	Fluorene，Dibenzothiophene，Carbazole
Biphenyl，Arylamine，Arylhalide	Polycyclic Aromatic Hydrocarbons
Qninoline，Isoquinoline	Deuterated Chemical Compound

太陽能最新產(chǎn)品——太陽能電池材料堿性蝕刻液:SUN-X系列

硅蝕刻液可令硅結晶型太陽能電池表面形成金字塔狀細微紋理結構，用于降低反射率。一般作為蝕刻液的是IPA-堿混合液。不過，本公司此次開發(fā)了作為不含IPA 的太陽能電池硅片蝕刻液的「SUN-X 系列」。下面請由我為各位做「SUN-X 系列」的簡單介紹。

☆ SUN-X系列基本原理

1) 與環(huán)境保護相對應
不使用IPA
SUN-X 成分僅含低揮發(fā)性化合物與水

＜沸點＞

SUN-X添加物	200℃以上
IPA	82.4℃

→減少大氣污染

2) 高產(chǎn)量
比較使用SUN-X和堿/IPA做硅片蝕刻時的代表性條件。
＜蝕刻液的使用條件＞

蝕刻液	SUN-Xs	堿性/IPA
使用時溶液的配制方法	3倍稀釋	按設定量混合
蝕刻方法	浸泡	浸泡
溫度（℃）	80	55~80
時間（分鐘/）	20~30	45~60
組成的穩(wěn)定性	穩(wěn)定	不穩(wěn)定

● 使用IPA時，會發(fā)生揮發(fā)，需要時時添加，無法保持一定的濃度。
● SUN-X 系列僅可用水稀釋3倍。
● 與之前方法相比，蝕刻的處理時間有望是之前的一半以下。

3）容易控制紋理形狀、大小

● 一般而言，受光影響，硅片表面會吸收75%能量，反射25%能量。
被反射的光再被旁邊的紋理表面吸收。
● 高低紋理相連接，反射的光就不能被吸收而會損失。
● 雖然紋路小的紋理可以很好地吸收光，但俯視圖可看到還是有一部分光損失于紋理中。
● 因此，紋理的形狀和大小對吸收效果的好壞（提高低反射率）有很大的影響。使用SUN-X，可形成均勻的紋理。
● 分開使用藥液，可調(diào)整紋理大小。
● 使用SUN-X 600 得到的紋理尺寸約為6～8μm、使用SUN-X 1200得到的紋理尺寸約為12μm。

蝕刻液與能量轉換效率

蝕刻液	FF	Jsc	Voc	η
SUN-X 600	0.768	35.97	0.640	17.68
SUN-X 1200	0.770	35.61	0.636	17.43
Alkali / IPA	0.762	34.79	0.630	16.70