半導體行業和太陽能源開發行業高純度特種化學品

來源：Seebio.cn作者：西寶生物人氣：-發表時間：2012-02-09 11:42:00【大中小】

日本和光純藥株式會社成立于1922年，是一家專門提供高純度化學試劑的科技公司。其中化成品部提供一系列的高純度特種化學品供應給半導體行業和太陽能源開發行業使用。

高性能蝕刻液

產品名稱	特征	適用于
混酸鋁	乙酸/硝酸/磷酸混合液	Ai配線
Au-Etchant	KI/I₂混合液	Au電極 Au Bump
50%ACN	50%硝酸（IV）氨水溶液	鉻涂層
ITO-Etchant	高浸潤性草酸水溶液	ITO透明電極
HHED	混合液	聚酰亞胺，層間絕緣膜
TWL-I & II	Ti膜或Ti/W合金膜選擇蝕刻液 I: 過氧化氫制劑 II: 堿制劑使用時混合	Pb焊接-Bump工序
TWL-I & II		無鉛Solder-Bump工序
TWL-I & II		Al線的接地線（Ti/W）膜
SWAT-200S	含添加劑的氫氧化鈉水溶液	抑制膠片表面不純物金屬離子的吸附，維護表面潔凈
SWATch-300P	添加劑的氫氧化鉀溶液（添加劑種類不同）	膠片制造，再生時拋光工序后的堿處理，洗滌
KOH-40S	添加劑的氫氧化鉀溶液（添加劑種類不同）	漿料pH值調整
SUN-X1200	具有晶體結構形成能力的氫氧化鉀溶液	太陽能電池

高純度，高性能有機酸系洗凈劑

產品名稱	特征	適用于
CA-HP-02	高純度 2%檸檬酸溶液	各種洗滌劑添加劑，原料不純物金屬離子去除洗滌劑（膠片制造，再生工程）
CA-HP-10	高純度 10%檸檬酸溶液
CA-HP-30	高純度 30%檸檬酸溶液
WCA-30S	高純度，高浸潤性
CIREX	高純度，高性能檸檬酸溶液最適用于去除不純物金屬離子	去除不純物金屬離子洗凈劑 Al-CMP后洗凈劑 W-CMP后洗凈劑
CIREX-C15	高純度，高性能檸檬酸溶液最適用于去除不純物金屬離子	去除不純物金屬離子洗凈劑 Al-CMP后洗凈劑 W-CMP后洗凈劑
CLEAN-100	高純度，高性能檸檬酸溶液顆粒和不純物金屬離子經一次洗滌即可同時去除	CMP后洗滌劑適合去除Cu-CMP后不純物金屬離子的洗滌劑 Cu/low-k CMP后洗凈劑
CAX-200
CLEAN-200LK
CLEAN-300LK
WCP-1000 （Acid Type）酸性	高性能洗凈劑	CMP后洗凈劑最適用于去除各種缺陷失誤 Cu/low-k CMP后洗凈劑
WCP-2000 (AlkalineType) 堿性	高性能洗凈劑	CMP后洗凈劑最適用于去除各種缺陷失誤 Cu/low-k CMP后洗凈劑

高性能非離子表面活性劑

產品名稱	特征	適用于
NCW-1001	低溫使用	改善溶液浸潤性的添加劑
NCW-1002	低粘性	各種工具的洗凈劑

高純度，高性能過氧化氫水

產品名稱	特征	適用于
HQ	高純度級別，不純物金屬離子含量：max. 0.1ppb	RCA洗滌液各種蝕刻液原料
HIRINPER-HP	高純度級別，不純物金屬離子含量：max. 0.1ppb 能有效抑制金屬離子的吸附和污染	利用本液可同時洗滌去除RCA（APM）溶液中的顆粒和不純物金屬離子
HIRINPER-SP	高純度級別，不純物金屬離子含量：max. 0.1ppb 能有效抑制金屬離子的吸附和污染	利用本液可同時洗滌去除RCA（APM）溶液中的顆粒和不純物金屬離子

有機光電材料，合成試劑

Boronic Acid	Phenanthroline
Azulene，Tropplone	Anthraquinone
Diphenylamine	Fluorene，Dibenzothiophene，Carbazole
Biphenyl，Arylamine，Arylhalide	Polycyclic Aromatic Hydrocarbons
Qninoline，Isoquinoline	Deuterated Chemical Compound

太陽能最新產品——太陽能電池材料堿性蝕刻液:SUN-X系列

硅蝕刻液可令硅結晶型太陽能電池表面形成金字塔狀細微紋理結構，用于降低反射率。一般作為蝕刻液的是IPA-堿混合液。不過，本公司此次開發了作為不含IPA 的太陽能電池硅片蝕刻液的「SUN-X 系列」。下面請由我為各位做「SUN-X 系列」的簡單介紹。

☆ SUN-X系列基本原理

1) 與環境保護相對應
不使用IPA
SUN-X 成分僅含低揮發性化合物與水

＜沸點＞

SUN-X添加物	200℃以上
IPA	82.4℃

→減少大氣污染

2) 高產量
比較使用SUN-X和堿/IPA做硅片蝕刻時的代表性條件。
＜蝕刻液的使用條件＞

蝕刻液	SUN-Xs	堿性/IPA
使用時溶液的配制方法	3倍稀釋	按設定量混合
蝕刻方法	浸泡	浸泡
溫度（℃）	80	55~80
時間（分鐘/）	20~30	45~60
組成的穩定性	穩定	不穩定

● 使用IPA時，會發生揮發，需要時時添加，無法保持一定的濃度。
● SUN-X 系列僅可用水稀釋3倍。
● 與之前方法相比，蝕刻的處理時間有望是之前的一半以下。

3）容易控制紋理形狀、大小

● 一般而言，受光影響，硅片表面會吸收75%能量，反射25%能量。
被反射的光再被旁邊的紋理表面吸收。
● 高低紋理相連接，反射的光就不能被吸收而會損失。
● 雖然紋路小的紋理可以很好地吸收光，但俯視圖可看到還是有一部分光損失于紋理中。
● 因此，紋理的形狀和大小對吸收效果的好壞（提高低反射率）有很大的影響。使用SUN-X，可形成均勻的紋理。
● 分開使用藥液，可調整紋理大小。
● 使用SUN-X 600 得到的紋理尺寸約為6～8μm、使用SUN-X 1200得到的紋理尺寸約為12μm。

蝕刻液與能量轉換效率