半導(dǎo)體行業(yè)和太陽(yáng)能源開(kāi)發(fā)行業(yè)高純度特種化學(xué)品

來(lái)源：Seebio.cn作者：西寶生物人氣：-發(fā)表時(shí)間：2012-02-09 11:42:00【大中小】

日本和光純藥株式會(huì)社成立于1922年，是一家專門提供高純度化學(xué)試劑的科技公司。其中化成品部提供一系列的高純度特種化學(xué)品供應(yīng)給半導(dǎo)體行業(yè)和太陽(yáng)能源開(kāi)發(fā)行業(yè)使用。

高性能蝕刻液

產(chǎn)品名稱	特征	適用于
混酸鋁	乙酸/硝酸/磷酸混合液	Ai配線
Au-Etchant	KI/I₂混合液	Au電極 Au Bump
50%ACN	50%硝酸（IV）氨水溶液	鉻涂層
ITO-Etchant	高浸潤(rùn)性草酸水溶液	ITO透明電極
HHED	混合液	聚酰亞胺，層間絕緣膜
TWL-I & II	Ti膜或Ti/W合金膜選擇蝕刻液 I: 過(guò)氧化氫制劑 II: 堿制劑使用時(shí)混合	Pb焊接-Bump工序
TWL-I & II		無(wú)鉛Solder-Bump工序
TWL-I & II		Al線的接地線（Ti/W）膜
SWAT-200S	含添加劑的氫氧化鈉水溶液	抑制膠片表面不純物金屬離子的吸附，維護(hù)表面潔凈
SWATch-300P	添加劑的氫氧化鉀溶液（添加劑種類不同）	膠片制造，再生時(shí)拋光工序后的堿處理，洗滌
KOH-40S	添加劑的氫氧化鉀溶液（添加劑種類不同）	漿料pH值調(diào)整
SUN-X1200	具有晶體結(jié)構(gòu)形成能力的氫氧化鉀溶液	太陽(yáng)能電池

高純度，高性能有機(jī)酸系洗凈劑

產(chǎn)品名稱	特征	適用于
CA-HP-02	高純度 2%檸檬酸溶液	各種洗滌劑添加劑，原料不純物金屬離子去除洗滌劑（膠片制造，再生工程）
CA-HP-10	高純度 10%檸檬酸溶液
CA-HP-30	高純度 30%檸檬酸溶液
WCA-30S	高純度，高浸潤(rùn)性
CIREX	高純度，高性能檸檬酸溶液最適用于去除不純物金屬離子	去除不純物金屬離子洗凈劑 Al-CMP后洗凈劑 W-CMP后洗凈劑
CIREX-C15	高純度，高性能檸檬酸溶液最適用于去除不純物金屬離子	去除不純物金屬離子洗凈劑 Al-CMP后洗凈劑 W-CMP后洗凈劑
CLEAN-100	高純度，高性能檸檬酸溶液顆粒和不純物金屬離子經(jīng)一次洗滌即可同時(shí)去除	CMP后洗滌劑適合去除Cu-CMP后不純物金屬離子的洗滌劑 Cu/low-k CMP后洗凈劑
CAX-200
CLEAN-200LK
CLEAN-300LK
WCP-1000 （Acid Type）酸性	高性能洗凈劑	CMP后洗凈劑最適用于去除各種缺陷失誤 Cu/low-k CMP后洗凈劑
WCP-2000 (AlkalineType) 堿性	高性能洗凈劑	CMP后洗凈劑最適用于去除各種缺陷失誤 Cu/low-k CMP后洗凈劑

高性能非離子表面活性劑

產(chǎn)品名稱	特征	適用于
NCW-1001	低溫使用	改善溶液浸潤(rùn)性的添加劑
NCW-1002	低粘性	各種工具的洗凈劑

高純度，高性能過(guò)氧化氫水

產(chǎn)品名稱	特征	適用于
HQ	高純度級(jí)別，不純物金屬離子含量：max. 0.1ppb	RCA洗滌液各種蝕刻液原料
HIRINPER-HP	高純度級(jí)別，不純物金屬離子含量：max. 0.1ppb 能有效抑制金屬離子的吸附和污染	利用本液可同時(shí)洗滌去除RCA（APM）溶液中的顆粒和不純物金屬離子
HIRINPER-SP	高純度級(jí)別，不純物金屬離子含量：max. 0.1ppb 能有效抑制金屬離子的吸附和污染	利用本液可同時(shí)洗滌去除RCA（APM）溶液中的顆粒和不純物金屬離子

有機(jī)光電材料，合成試劑

Boronic Acid	Phenanthroline
Azulene，Tropplone	Anthraquinone
Diphenylamine	Fluorene，Dibenzothiophene，Carbazole
Biphenyl，Arylamine，Arylhalide	Polycyclic Aromatic Hydrocarbons
Qninoline，Isoquinoline	Deuterated Chemical Compound

太陽(yáng)能最新產(chǎn)品——太陽(yáng)能電池材料堿性蝕刻液:SUN-X系列

硅蝕刻液可令硅結(jié)晶型太陽(yáng)能電池表面形成金字塔狀細(xì)微紋理結(jié)構(gòu)，用于降低反射率。一般作為蝕刻液的是IPA-堿混合液。不過(guò)，本公司此次開(kāi)發(fā)了作為不含IPA 的太陽(yáng)能電池硅片蝕刻液的「SUN-X 系列」。下面請(qǐng)由我為各位做「SUN-X 系列」的簡(jiǎn)單介紹。

☆ SUN-X系列基本原理

1) 與環(huán)境保護(hù)相對(duì)應(yīng)
不使用IPA
SUN-X 成分僅含低揮發(fā)性化合物與水

＜沸點(diǎn)＞

SUN-X添加物	200℃以上
IPA	82.4℃

→減少大氣污染

2) 高產(chǎn)量
比較使用SUN-X和堿/IPA做硅片蝕刻時(shí)的代表性條件。
＜蝕刻液的使用條件＞

蝕刻液	SUN-Xs	堿性/IPA
使用時(shí)溶液的配制方法	3倍稀釋	按設(shè)定量混合
蝕刻方法	浸泡	浸泡
溫度（℃）	80	55~80
時(shí)間（分鐘/）	20~30	45~60
組成的穩(wěn)定性	穩(wěn)定	不穩(wěn)定

● 使用IPA時(shí)，會(huì)發(fā)生揮發(fā)，需要時(shí)時(shí)添加，無(wú)法保持一定的濃度。
● SUN-X 系列僅可用水稀釋3倍。
● 與之前方法相比，蝕刻的處理時(shí)間有望是之前的一半以下。

3）容易控制紋理形狀、大小

● 一般而言，受光影響，硅片表面會(huì)吸收75%能量，反射25%能量。
被反射的光再被旁邊的紋理表面吸收。
● 高低紋理相連接，反射的光就不能被吸收而會(huì)損失。
● 雖然紋路小的紋理可以很好地吸收光，但俯視圖可看到還是有一部分光損失于紋理中。
● 因此，紋理的形狀和大小對(duì)吸收效果的好壞（提高低反射率）有很大的影響。使用SUN-X，可形成均勻的紋理。
● 分開(kāi)使用藥液，可調(diào)整紋理大小。
● 使用SUN-X 600 得到的紋理尺寸約為6～8μm、使用SUN-X 1200得到的紋理尺寸約為12μm。

蝕刻液與能量轉(zhuǎn)換效率